一种倒装常压LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种倒装常压LED芯片及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种倒装常压LED芯片及其制备方法，该倒装常压LED芯片利用绝缘膜层将倒装常压LED芯片全部包围起来，仅保留两个凹槽用于设置P电极和N电极，在后续焊接时能防止焊料溢出，与N型半导体层和P型半导体层连通而导致漏电等问题，可以达到与常规DE工序相同的作用，因此在本发明中无需采用DE工序，进而无需缩小P型半导体层的面积，提高了倒装常压LED芯片的发光面积；并且形成绝缘膜层的成本比DE工序成本低，进一步降低制备成本；绝缘膜层还能在封装后隔绝水汽进入，提高倒装常压LED芯片的可靠性；此外对边缘

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705935 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310817590.6 H01L 33/38 (2010.01)