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低电压高线性度2.4GHz CMOS LNA的设计的中期报告 在低电压高线性度2.4GHz CMOS LNA的设计中，我们已经完成了以下工作： 1. 设计了一种CMOS LNA电路拓扑结构，用于在2.4GHz频段下提供低噪声系数和高线性度。该拓扑结构基于共源共栅（CSCG）架构，并使用高电阻度（HR）技术实现低噪声系数。 2. 采用TSMC 65nm CMOS工艺进行LNA电路的设计和模拟。我们使用了ADS 2019软件来验证电路性能。采用S参数和噪声分析，对LNA电路进行建模和仿真，以优化电路参数和设计。 3. 在优化设计过程中，我们使用了Passive-Active Transformer（PAT）技术来提高电路整体增益和线性度。我们还调整了金属层布局，以消除信号反射和电路失真。 4. 最终，我们设计的LNA电路在2.4GHz频段下具有以下性能：增益为12.5dB，输入1dB压缩点为-7.5dBm，噪声系数为1.9dB，输出IP3点为-7.5dBm。 5. 下一步，我们将继续完善电路设计，以满足特定应用的要求，并进行实际测试以验证电路性能。 通过我们的设计过程，我们学习到了如何在低电压和高频率下实现高性能的CMOS LNA电路，并使用HR技术和PAT技术来提高电路性能。这对我们未来的研究和工作具有重要的意义。