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一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件.pdfVIP

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  • 2023-09-07 发布于四川
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一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件.pdf

    本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H‑SiCMOS器件。本发明采用沟槽MOS结构，通过与栅极沟槽垂直的多级沟槽将屏蔽区与源极相连接，使得屏蔽区电位可调，以提高屏蔽层对栅氧化层电场的屏蔽作用，避免器件开关性能的退化，屏蔽区间可形成JFET区，提高器件的短路能力。同时器件采用了分裂沟槽栅的结构，在栅极沟槽底部集成肖特基二极管实现反向续流功能，进一步提高器件的开关性能。并设置JFET调制区，降低肖特基接触区对器件导通电阻的影响，同时降低了沟道穿通的风险。本发明提出

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705857 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310845985.7 (22)申请日 2023.07.11 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731

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