一种低损耗HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种低损耗HEMT器件及其制备方法.pdf

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本申请实施例属于半导体器件技术领域，涉及一种低损耗HEMT器件，包括衬底、外延结构、复合栅介质层、源电极、栅电极、漏电极；外延结构设置于衬底上；源电极与漏电极设置于外延结构的上表面，且分别位于外延结构的相对两侧；复合栅介质层设置于外延结构的上表面，且位于源电极与漏电极之间，其中，复合栅介质层包括层叠设置的石墨烯转移层与薄栅介质层；栅电极设置于薄栅介质层上。本申请还涉及一种HEMT器件的制备方法。本申请提供的技术方案能够改善栅电极漏电性能，降低器件损耗，改善器件的击穿性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705847 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310642370.4 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人河源市众拓光电科