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本实用新型公开了一种基于镭射切割快速检测方法的QFN封装结构，包括带状封装体和于该封装体内矩形阵列布置的芯片，相邻两芯片之间设置间断的纵列支撑铜导线架和间断的横排支撑铜导线架。本实用新型采用镭射光局部切断导线电路，但仍保留各个芯片之间的结构连结，以方便芯片电气检测，这种间断设置可以对全部单芯片进行电气检测后再对结构连结进行完全切断，使得电气检测效率提高，且采用镭射光进行局部间断设置并不需要在背面贴保护膜，就不会造成保护膜高温烘烤作业造成的残胶问题，更可以节省材料及作业成本，也可解决传统方法撕膜残
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210349826 U
(45)授权公告日
2020.04.17
(21)申请号 20192
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