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本发明实施例公开了一种硅片表面缺陷的机器视觉识别方法、装置及介质，属于半导体制造技术领域，包括：基于采集到的硅片表面局部缺陷的图像识别待分类的缺陷区域；根据所述待分类的缺陷区域的长值与径值的比值确定所述待分类的缺陷区域的长径比，其中，所述长值为所述待分类的缺陷区域的边缘像素之间距离最大的值，所述径值为垂直于所述长值所在直线的方向上所述待分类的缺陷区域的边缘像素之间距离最大的值；根据所述长径比识别所述待分类的缺陷区域所表征的缺陷类型。长径比作为缺陷区域的外形特征，能够更准确地对缺陷进行识别及分类，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116721079 A
(43)申请公布日 2023.09.08
(21)申请号 202310684968.X
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
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