垂直型存储器装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-10 发布于四川
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提供了一种垂直型存储器装置及其制造方法,所述装置包括:衬底,具有单元阵列区域和连接区域;栅电极层,堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上,栅电极层在连接区域中形成阶梯结构;单元通道层,在单元阵列区域中,单元通道层穿过所述多个栅电极层;虚设通道层,在连接区域中,虚设通道层穿过所述多个栅电极层中的至少一个栅电极层;单元外延层,设置在单元通道层下方;以及虚设外延层,设置在虚设通道层下方,其中,虚设外延层的形状与单元外延层的形状不同。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109309097 A (43)申请公布日 2019.02.05 (21)申请号 20181

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