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射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备.pdfVIP

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  • 2023-09-10 发布于四川
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射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备.pdf

    本申请公开了一种射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频馈入机构，应用于半导体工艺设备，所述射频馈入机构包括：多个馈入柱、多个馈入套筒和射频线圈；多个所述馈入套筒分别可活动地连接于所述射频线圈；多个所述馈入柱各自的一端分别用于通过射频连接条与电极匹配器连接，多个所述馈入柱各自的另一端分别与多个所述馈入套筒对应插接配合。本申请至少能够解决相关技术中射频馈入柱与连接套筒平行度较差导致射频馈入结构无法正常使用的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219658675 U (45)授权公告日 2023.09.08 (21)申请号 202320711193.6 (22)申请日 2023.04.03 (73)专利权人 北京北方华创微电子装备有限公

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