一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片.pdfVIP

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2023-09-11 发布于四川
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一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片.pdf

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本实用新型公开了一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片，具体为在厚度为5～30微米Sn基无铅金属箔之间添加一层厚度为5～30微米之间的压延铜箔或者电镀铜箔，然后压制成型。本实用新型的焊片结构，铜箔在200～300摄氏度的液态无铅Sn合金中扩散形成Sn和Cu的金属间化合物（IMC），IMC焊层合金熔点高于400摄氏度，有利于高结温芯片长期可靠运行。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210379034 U (45)授权公告日 2020.04.21 (21)申请号 20192