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- 2023-09-11 发布于四川
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本实用新型公开了一种LED结构，包括：ITO层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型半导体层、电流扩展层和第一电极层，所述ITO层、所述N型GaN层、所述多量子阱发光层、所述P型半导体层、所述电流扩展层和所述第一电极层依次堆叠。本实用新型的LED结构的N型GaN与ITO层连接，当ITO层通以和负电极相同的电压，可以来改变电子空穴的复合路径，进而解决LED结构中心电场线较弱的问题，使LED结构中心的电子空穴对复合几率增大，达到提升发光效率，减小LED结构中心亮度和四周亮度差异，增强阴极导电性的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210379102 U
(45)授权公告日
2020.04.21
(21)申请号 20192
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