原创力文档- 1
- 0
- 约2.58万字
- 约 24页
- 2023-09-12 发布于四川
- 举报
本公开涉及集成电路。例如，在支持互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的集成电路中，通过用n阱带围绕热n阱来支持闩锁免疫性，其中n阱带通过根据设计规则的指定距离与热n阱隔开。n阱带位于热n阱和其他n阱或n型扩散结构之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210403729 U
(45)授权公告日
2020.04.24
(21)申请号 20192
文档评论（0）