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1、LED 发光工作原理:
LED 材料材料化学式颜色铝砷化镓 砷化镓 砷化镓磷化物磷化铟镓 铝磷化镓(掺AlGaAs GaAsP AlGaInP GaP:ZnO红色及红外线杂氧化锌)铝磷化镓 铟氮化镓/氮化镓InGaN/GaN GaP AlGaInP AlG绿色磷化镓 磷化铟镓铝 铝磷化aP镓磷化铝铟 镓砷化镓 磷化物GaAsPAlGaInP AlGaInP GaP高亮度的橘红色,橙色,黄色,磷化铟镓铝 磷化镓绿色磷砷化镓GaAsP红色,橘红色,黄色磷化镓 硒化锌 铟氮化镓 碳GaP ZnSe InGaN SiC红色,黄色,绿色LED 发光二极管是一种固态的半导体器件,它可以直接把电能转化成光能。它和其他半导体器件一样,都是由一个P-N 结组成,也具有单向导电性。在给LED 加上正向电压时N
LED 材料
材料化学式
颜色
铝砷化镓 砷化镓 砷化镓磷
化物磷化铟镓 铝磷化镓(掺
AlGaAs GaAsP AlGaInP GaP:
ZnO
红色及红外线
杂氧化锌)
铝磷化镓 铟氮化镓/氮化镓
InGaN/GaN GaP AlGaInP AlG
绿色
磷化镓 磷化铟镓铝 铝磷化
aP
镓
磷化铝铟 镓砷化镓 磷化物
GaAsPAlGaInP AlGaInP GaP
高亮度的橘红色,橙色,黄色,
磷化铟镓铝 磷化镓
绿色
磷砷化镓
GaAsP
红色,橘红色,黄色
磷化镓 硒化锌 铟氮化镓 碳
GaP ZnSe InGaN SiC
红色,黄色,绿色
化硅
氮化镓(GaN)
绿色,翠绿色,蓝色
铟氮化镓
InGaN
近紫外线,蓝绿色,蓝色
碳化硅(用作衬底)
SiC
蓝色
硅(用作衬底)
Si
蓝色
蓝宝石(用作衬底)
Al2O3
蓝色
硒化锌
ZnSe
蓝色
钻石
C
紫外线
氮化铝,氮化铝镓
AlN AlGaN
波长为远至近的紫外线
3、LED 芯片的封装结构分类:
Chip 结构:又分为单极芯片封装结构和双极芯片封装结构。单极芯片封装结构是芯片负极通过银胶与PCB 板铜箔链接,正极通过铝线绑定与PCB 铜箔相连接。主要用于底背光。双极芯片封装结构芯片正负极均通过铝线绑定与PCB 铜箔相连接。
SMD 结构:(表面贴装器件):SMD 是将芯片采用回流焊的形式焊接在一个小的PCB 板上,厂商提供的都是 4.0x4.0mm 的焊盘并用树脂固定的LED。常用于侧背光和彩屏产品。
LAMP 结构:原理同SMD 封装原理雷同,只是外形结构有差异,它主要是有两个支架PIN
脚。亮度范围 100—1500mcd,主要用于侧背光产品。4 封装技术的发展趋势
采用大面积芯片封装
开发新的封装材料
多芯片集成封装
平面模块化封装
LED 的主要问题LED 的结温
由于目前芯片技术的限制,LED 的光电转换效率有待提高,在发光的同时,大约有 60%的电能转化为热能释放掉,这就要求在应用 LED 时要做好散热工作。以确保 LED 的正常使用。当 LED 结温升高时,器件的光通量会逐渐降低,而当温度降低时,光通量会增大,一般情况下,这种变化是可逆和可恢复的。高温下还会对器件性能产生变化,一般来说结温越高, 器件性能衰减就越快,在发光波长中,发光的主波长会向长波方向飘移,约 0.2—0.3nm/℃ 因此在使用LED 器件时做好散热是必要条件。
LED 的结温量
当然在做好散热的同时我们也需要知道LED 产生的结温量是多少?下面我们可以通过一个公式来计算:Rjc=(Tj-Tc)/Pd
Rjc:在选定一个LED 以后,从数据中查到起Rjc; Tj:为结温;
Tc:为 LED 散热垫温度;
Pd:Pd 与 LED 的正向压降Vf 及 LED 的正向电流的关系为:Pd=Vf×If;
LED 的散热方法:
良好的散热设计主要出于以下考虑:(1)提高 LED 效率、提高电流、LED 芯片要有更高结温;(2)LED 光学性能提高及较高的可靠性,都依赖于芯片的结温。因此LED 芯片散热的主要途径有:传导、对流、辐射。其中传导和辐射对LED 散热比较重要。从热能分析,发散功率为Pd=Vf×If,因此 LED 效率达到标准值时,Vf 和 If 相对变化比较小。所以在做散热设计时,主要从传导方面考虑,首先考虑热传导系数大的材料,在常用的材料中,银的热导率是最高的,其次是铜和铝。
LED 的驱动技术
为了保证 LED 能够获得较高的使用效率,首先需要一定的应用条件,其次需要采用相适应的驱动电路来满足LED 工作参数的要求。驱动电路是一种专为 LED 供电的特种电源,要有简单的电路结构、较小的体积,以及较高的转化率。驱动电路的输出电参数要与驱动的 LED 技术参数相匹配,满足 LED 的要求,并具有较高精度的恒流控制,合适的限压功能。驱动电路工作时,对其他电路的正常工作干扰
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