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本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制备工艺，MOSFET器件包括依次设置的漏极金属、N型漏极、N型外延层、源极纵向沟槽和栅极纵向沟槽，源极纵向沟槽和栅极纵向沟槽从上至下贯穿N型源极、P型阱区并延伸到N型外延层中；栅极纵向沟槽内设有栅极多晶硅和栅氧化层，源极纵向沟槽内设有源极多晶硅和场氧化层，源极多晶硅的外围被场氧化层包裹，且场氧化层的外围还设有第一P型掺杂区；在源极纵向沟槽的底部还设有至少一处第二P型掺杂区；N型源极和第一P型掺杂区的表面还设有用于将源极信号连接至源极金属的接触孔，N型外
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116741839 A
(43)申请公布日 2023.09.12
(21)申请号 202310889322.5
(22)申请日 2023.07.19
(71)申请人 无锡新洁能股份有限公司
地址 2
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