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本公开提供一种半导体存储装置及其制作方法,涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括:衬底;源极结构,形成于衬底上;叠层结构,包括交替层叠设置在源极结构上的氮化层和氧化层;浮置体,形成于氧化层内,浮置体的内部沿叠层结构的层叠方向设置有贯通孔;沟道区,形成于浮置体的内侧,沟道区的内部沿层叠方向也设置有贯通孔,沟道区与源极结构接触;漏极结构,形成于叠层结构在层叠方向的顶部,漏极结构与沟道区接触;栅极结构,形成于沟道区的内侧。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113488471 A
(43)申请公布日 2021.10.08
(21)申请号 202110772365.6
(22)申请日 2021.07.08
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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