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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构和漏区之间的基底上，硅化物阻挡层还延伸至栅极结构中靠近漏区的侧壁和部分顶壁上；光吸收层，位于硅化物阻挡层上；介电层，位于栅极结构露出的基底上，且介电层覆盖栅极结构以及光吸收层；导电结构，位于介电层内，且导电结构的底端位于光吸收层中或者位于光吸收层上。光吸收层能够吸收光子中的能量，导

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111430461 A (43)申请公布日 2020.07.17 (21)申请号 20191

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