一种半导体晶片.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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本实用新型公开了一种提供的半导体晶片,包括位于所述半导体晶片的侧壁上的主参照面和圆弧面,所述主参照面与所述圆弧面的边连接处设置有倒角。本实用新型提供的半导体晶片,通过改变边型来降低衬底在外延中因碰撞或者应力集中点而造成衬底在外延过程中形成的“平边缺陷”或者外延片破裂的问题。在主参照面的两端与圆弧边连接处由之前的不倒角更改为倒角,能够减少衬底在外延生长中的破片率,提高外延的成品率,降低成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210429736 U (45)授权公告日 2020.04.28 (21)申请号 20192

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