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本实用新型的一些实施例是关于一种半导体记忆体装置，特别是具有垂直堆叠的源极、漏极及栅极连接的嵌入式记忆体装置。半导体记忆体装置包括基板及在第一方向上延伸的通道材料支柱。位元线设置在通道材料支柱上方且耦接到通道材料支柱，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。字线在通道材料支柱的相对侧上并且在第三方向上延伸。第三方向垂直于第二方向。介电层分离字线与通道材料支柱。源极线在基板上方且直接在字线之下在第三方向上延伸。可变电阻记忆体层在源极线与介电层的外侧壁之间，横向围绕通道材料支柱的侧壁。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219679157 U
(45)授权公告日 2023.09.12
(21)申请号 202320575285.6
(22)申请日 2023.03.22
(30)优先权数据
17/701,144 2022
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