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二维紧束缚电子在交错磁通调控下的量子相变和拓扑平带的中期报告 Quantum phase transitions and topological flat bands of two-dimensional tight-binding electrons under staggered magnetic flux modulation: midterm report 本研究旨在探究二维紧束缚电子在交错磁通调控下的量子相变和拓扑平带。本报告为中期报告，总结了前期的研究进展和未来的研究方向。 研究进展： 1. 确定了模型：我们考虑了一个紧束缚模型，其中的电子在二维正方形晶格上运动，并受到交错磁通场的作用。 2. 计算了哈密顿量：我们计算了系统的哈密顿量，其中包括电荷噪声项和磁通项。 3. 研究了量子相变：我们通过计算系统的能带结构和自由能曲线，发现系统在交错磁通的强度超过一定阈值时，会发生量子相变。 4. 研究了拓扑平带：我们发现，系统在相变点的附近出现了拓扑平带，这些平带与相变点的量子相变密切相关。 未来研究： 1. 探究不同参数下的量子相变：我们将研究不同参数下的量子相变，例如基态磁通、分数化的磁通、电子密度等。 2. 探究不同拓扑相的稳定性：我们将研究不同拓扑相的稳定性，并研究它们在不同参数下的演化规律。 3. 研究凝聚态中的效应：我们将考虑在凝聚态中的电子相互作用和自旋效应，探究它们对量子相变和拓扑平带的影响。 总之，我们的研究旨在深入探究二维紧束缚电子在交错磁通调控下的量子相变和拓扑平带现象，为未来实验提供理论指导和支持。