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太赫兹元件、半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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太赫兹元件、半导体装置.pdf

    本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110800099 A (43)申请公布日 2020.02.14 (21)申请号 20188

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