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- 2023-09-14 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成源掺杂层；在源掺杂层上形成半导体柱；在半导体柱的顶部一侧，形成覆盖半导体柱顶部并包围半导体柱部分侧壁的漏掺杂层；形成包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂层的栅极结构；形成栅极结构后，在漏掺杂层的顶部形成漏极插塞，漏极插塞电连接漏掺杂层。本发明形成覆盖所述半导体柱顶部并包围所述半导体柱部分侧壁的漏掺杂层，使得漏掺杂层的宽度变大，这相应增大了漏掺杂层的顶部表面积，从而增大了形成漏极插塞的工艺窗口，易于使漏极插塞形成在漏掺杂层的顶部，且提高了漏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112151606 A
(43)申请公布日
2020.12.29
(21)申请号 20191
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