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本实用新型涉及一种用于MEMS传感器的集成封装结构，包含基板、ASIC芯片和MEMS芯片；ASIC芯片通过银胶粘贴在基板上，ASIC芯片通过金线与基板进行电信号连接，并通过环氧树脂塑封在基板上；塑封后的环氧树脂塑留有空腔，MEMS芯片通过硅凝胶粘贴在环氧树脂塑封后留下的空腔处的基板上，MEMS芯片也通过金线与基板进行电信号连接；该空腔中注满披覆胶；本方案利用基板实现MEMS传感器和ASIC芯片的电导通，减少了MEMS传感器微弱信号的衰减和被其它信号的干扰，通过特殊设计的塑封空腔结构实现了多芯片的
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219670141 U
(45)授权公告日 2023.09.12
(21)申请号 202320300416.X
(22)申请日 2023.02.23
(73)专利权人 太极半导体（苏州）有限公司
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