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倒装发光二极管芯片.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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倒装发光二极管芯片.pdf

    本申请提供一种倒装发光二极管芯片，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。同时，通过发光层、P型半导体层以及P极金属层设置于倒装发光二极管芯片中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘，解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险。从而可有效降低漏电风险，提高了产品工作可

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210429862 U (45)授权公告日 2020.04.28 (21)申请号 20192

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