原创力文档- 1
- 0
- 约2.41万字
- 约 23页
- 2023-09-14 发布于四川
- 举报
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，鳍部露出的衬底上形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；形成横跨鳍部的伪栅结构，包括伪栅层，伪栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；去除伪栅层，在层间介质层内形成开口；去除开口露出的部分厚度隔离层，在隔离层内形成凹槽；在凹槽和开口内形成栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明实施例有利于降低鳍部内发生源漏穿通现象、关态漏电流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111463275 A
(43)申请公布日
2020.07.28
(21)申请号 20191
文档评论（0）