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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，衬底内形成有阱区，阱区内具有第一类型离子；在鳍部中形成反型掺杂区和阈值电压调节区，阈值电压调节区位于鳍部的顶部一侧，反型掺杂区位于阈值电压调节区下方，阈值电压调节区内具有第一类型离子，反型掺杂区内具有第二类型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构露出反型掺杂区和阈值电压调节区。通过使阈值电压调节区形成在鳍部的顶部一侧，从而降低鳍部顶部位置的电流密度，通过反型掺杂区，使得器件沟道远离鳍部的表面，从而改善闪烁噪

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112151594 A (43)申请公布日 2020.12.29 (21)申请号 20191

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