ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究的中期报告.docxVIP

ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究的中期报告 本文介绍了ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究的中期报告。 首先，研究了ZnO基磁性半导体的制备方法。采用基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的外延生长技术，在Si基底上成功生长了p型ZnO基磁性半导体。利用X射线光电子能谱（XPS）和霍尔效应等手段分析了样品的表面形貌、晶体结构、掺杂浓度等基本特性。研究发现，制备的样品具有较高的p型掺杂浓度和磁性特性，表明该制备方法较为可行。 其次，研究了多铁性氧化物异质结构的外延制备方法。通过MOCVD技术，在SrTiO3基底上成功生长了BiFeO3（BFO）和La0.8Sr0.2MnO3（LSMO）异质结构。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等手段分析了样品的表面形貌、晶体结构、界面结构等基本特性。研究发现，在合适的生长条件下，制备的异质结构样品具有高结晶度、清晰的界面结构和优良的电学性能。此外，还探讨了异质结构中BFO和LSMO层之间的耦合珠径，发现其可以通过调控生长条件和层厚度来实现。 综上所述，通过外延制备的方法，成功制备了ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构样品，并对其物性进行了初步研究，为进一步探索这些材料的性质及应用提供了基础。