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Ce掺杂ATO透明薄膜的制备及其性能研究的中期报告 本研究旨在制备掺杂ATO（掺铈锑氧化锡）透明薄膜，并研究其性能。在前期的实验中，我们成功地制备了掺杂不同比例的ATO薄膜，并对其表面形貌、光学性能和电学性能进行了初步的表征。 对于样品的表面形貌观测，我们利用扫描电子显微镜（SEM）观察掺杂不同比例ATO薄膜的表面形貌。结果显示，掺杂比例为5%时，ATO薄膜的表面形貌最为光滑，并且没有明显的孔洞和裂纹。同时，我们还对不同掺杂比例的ATO薄膜进行了透射光谱测试。结果显示，掺杂比例为5%时，薄膜的透过率最高，并且在可见光范围内表现出良好的透明性。 除此之外，我们还进行了电学性能的测试。结果显示，掺杂比例为5%的ATO薄膜具有较高的导电性能，其电阻率约为1.5×10-3 Ω·cm，且具有一定的导电稳定性。 综上所述，研究表明掺杂比例为5%的ATO薄膜具有良好的透明性、电学性能和表面形貌，并且可以作为透明电极材料在光电器件中应用。下一步，我们将继续对该薄膜进行更加深入的研究，拓展其在光电器件中的应用领域。