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本实用新型揭示了一种带有止挡结构的双层mems硅压力芯片，该双层mems硅压力芯片包括三层结构，即上层硅片、玻璃粉层和下层硅片，所述上层硅片设置于玻璃粉层的上方，所述玻璃粉层设置于下层硅片的上方，上层硅片、下层硅片与玻璃粉层所包围的部分为空腔。本技术方案通过用双层结构保护了下层硅片，防止下层硅片由于过度形变导致破损失效，可以有效解决过载失效的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210426841 U
(45)授权公告日
2020.04.28
(21)申请号 20192
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