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本发明涉及一种高光效MicroLED芯片,属于MicroLED芯片技术领域。解决了现有技术中MicroLED芯片的出光效率低,且散热效果有待进一步提升的技术问题。本发明的MicroLED芯片,包括PN结、第二电极、第一电极、介质层和透明电极;其中,PN结为N个,且均为倒梯形结构,固定在驱动电路基板的上表面上,且每个PN结通过一个第二电极与一个驱动电路基板的电极连接;第一电极为共电极,通过透明电极与N个PN结均连接,介质层将第一电极和第二电极隔离。该MicroLED芯片,通过倒梯形的电极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759510 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310631774.3
(22)申请日 2023.05.31
(71)申请人 中国科学院长春光
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