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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底和形成于所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括对应于异质结双极晶体管的第一外延层结构和/或对应于高电子迁移率晶体管的第二外延层结构；非掺杂的隔离结构，形成于所述第一外延层结构或所述第二外延层结构中，以用于隔离所述异质结双极晶体管和/或所述高电子迁移率晶体管。本发明的技术方案能够提高器件之间的隔离效果，且提高器件的稳定性和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759423 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310865859.8
(22)申请日 2023.07.14
(71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公
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