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一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-16 发布于四川
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一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括步骤1、清洗衬底；步骤2、蒸镀漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，控制有机半导体层长度；步骤4、刻蚀柱形槽；步骤5、制作栅介质层；步骤6、在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽；步骤7、蒸镀栅极；步骤8、在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极。本发明的沟道长度垂直布设，无需借助高精度光刻

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116761479 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310758962.2 (22)申请日 2023.06.26 (71)申请人 南京邮电大学

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