硼掺杂晶体硅电子结构的第一性原理计算.docVIP

硼掺杂晶体硅电子结构的第一性原理计算 摘要 晶体硅物理性质介于绝缘体和半导体之间，通过某种特别的处理，可以体现导电性，比如说掺杂。在掺杂过后，我们需要对晶体硅的电子结构进行一定的分析，在根本上掌握对半导体的理解，以便使半导体应用在更多的产业中。 在本篇论文中，我会通过Materials Studio 8.0对未掺杂的晶体硅、掺入第Ⅲ主族元素硼的晶体硅和掺入第Ⅴ主族元素磷的晶体硅进行电子结构的第一性原理计算，通过其能带结构和态密度的变化来研究它们电子结构的特性，能带结构和态密度可以从微观上体现半导体的一些性质和特点。 通过对未掺杂的晶体硅进行电子结构的第一性原理计算后，我发现晶体硅的带隙为0.