Ga掺杂晶体Si电子结构的第一性原理计算.docxVIP

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2023-09-19 发布于湖南
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PAGE 4 Ga掺杂晶体Si电子结构的第一性原理计算摘要本论文采用的是基于密度泛函理论（DFT）的计算，着重研究Ga掺杂晶体Si的电子结构，并对其变化规律做出系统的分析，其中涉及到原子结构的研究需要用到量子力学的方法，也就是第一性原理计算。论文的前半部分介绍用于计算的MS软件，以及如何使用MS软件进行计算并用Origin软件作图之后加以分析，后半部分介绍如何对晶体Si的能带结构进行分析，以及通过不断增加掺杂的Ga原子的个数，进行计算后得出结果，再进行系统的分析。计算结果表明，Ga原子掺杂晶体Si之后晶体Si的带隙会消失，晶体Si的能量变小，分波态密度增加里d轨道，分析得出Ga