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一种氮化镓电子器件的复合介质结构.pdfVIP

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  • 2023-09-19 发布于四川
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一种氮化镓电子器件的复合介质结构.pdf

    一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)，低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件上，高击穿电场介质层(2)，生长在低界面态介质插入层(1)上。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210467851 U (45)授权公告日 2020.05.05 (21)申请号 20192

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