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浅沟槽隔离结构及半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-09-19 发布于四川
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浅沟槽隔离结构及半导体器件.pdf

    本实用新型涉及浅沟槽隔离结构及半导体器件，所述浅沟槽隔离结构形成于衬底内，其包括：第一部，其具有从衬底的表面延伸至衬底内的第一深度处的第一侧壁，第一侧壁相对于衬底的表面具有第一斜率，且一侧壁的表面具有第一粗糙度；以及第二部，其具有从第一深度处的第一侧壁延伸至衬底内的第二深度处的第二侧壁，第二侧壁相对于衬底的表面具有第二斜率，且第二侧壁的表面具有第二粗糙度，其中，第二斜率大于第一斜率，并且其中，第二粗糙度大于第一粗糙度。本实用新型既解决了难以填充浅沟槽隔离结构的问题又不会导致衬底表面的可用空间过小

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210467798 U (45)授权公告日 2020.05.05 (21)申请号 20192

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