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本发明公开了一种超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法，首先通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第三，所有管子均以梳状结构来设计，最大程度地缩短各个管子之间的距离来降低串联电阻；最后，针对TVS通流管，利用PNPN晶闸管SCR的深回扫，或者NPN触发三极管浅回扫的特性，降低TVS通流管本身的残压，从而进一步降低整个低电容TVS的残压。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107919355 A
(43)申请公布日
2018.04.17
(21)申请号 20171
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