一种快恢复二极管.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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本实用新型公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210467855 U (45)授权公告日 2020.05.05 (21)申请号 20192