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本实用新型提供了一种用于测量集成电路芯片温度的装置，包括设置在外壳内的近红外激光源、半反半透镜、相机、物镜，物镜、半反半透镜、相机在同一垂直线上，在半反半透镜和相机之间设置滤光片组，近红外激光源与半反半透镜在同一水平线上，在外壳内还设置有用于调节近红外激光束角度的调节机构。该方案利用含有上转换纳米颗粒的薄膜，将其覆盖在待测的集成电路芯片表面。在外界的近红外光照射下，上转换纳米颗粒能够发出可见光，该纳米颗粒的发光性质随着颗粒温度的变化而改变。因此对该光信号的光谱分析，可得到纳米颗粒所处位置的温度变
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210464667 U
(45)授权公告日
2020.05.05
(21)申请号 20192
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