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本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种低芯片温度梯度的功率半导体模块封装结构及方法，封装结构包括功率半导体芯片、衬板和基板；衬板包括从上至下依次连接的上铜层、陶瓷层和下铜层，功率半导体芯片通过芯片焊料层与上铜层连接，下铜层通过衬板焊料层与基板连接，芯片焊料层的材料分别为第一材料和第二材料，芯片焊料层中应力小于或者等于设定应力的区域选用第二材料，芯片焊料层中应力超过设定应力的区域选用第一材料，第一材料的屈服强度大于第二材料。本发明提出的一种低温度梯度功率半导体模块封装结构在相对较低的成本下，能有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779584 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311052204.5
(22)申请日 2023.08.21
(71)申请人 湖南大学
地址 410082
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