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- 2023-09-20 发布于四川
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本发明公开了一种虚拟栅的平坦化方法，包括步骤：形成由第一栅介质层和多晶硅伪栅叠加形成的虚拟栅；形成第零层层间膜；进行对第零层层间膜的研磨速率大于对多晶硅伪栅的研磨速率的第一次化学机械研磨工艺；进行对第零层层间膜的去除速率小于对多晶硅伪栅的去除速率的第二次平坦化工艺，坦化后使多晶硅伪栅的表面凹陷区域中的第零层层间膜的表面和凹陷区域外的表面相平；进行无选择性的多晶硅减薄工艺。本发明能将表面不平坦的虚拟栅的顶部表面完全打开，从而能实现将虚拟栅的完全去除并从而提高产品良率；能提高虚拟栅的高度一致性，提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110867377 A
(43)申请公布日
2020.03.06
(21)申请号 20191
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