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- 2023-09-20 发布于四川
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本发明公开了一种鳍式晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、进行半导体衬底的刻蚀形成多个鳍体和位于鳍体之间的浅沟槽；步骤二、采用FCVD工艺形成隔离氧化层将浅沟槽完全填充并延伸到浅沟槽外的鳍体上；步骤三、进行第一次平坦化工艺使隔离氧化层的顶部表面和鳍体的顶部表面相平；步骤四、进行第二次刻蚀工艺将隔离氧化层的顶部表面回刻到低于鳍体的顶部表面；在步骤二完成后以及步骤四进行前，在步骤三进行前、进行过程中或完成后包括对隔离氧化层进行强化处理的步骤。本发明能使鳍体之间的隔离氧化层的顶部表面的碗状凹陷减少或消除
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110854201 A
(43)申请公布日
2020.02.28
(21)申请号 20191
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