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一种无额外遮光和对位问题的Poly finger制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-20 发布于四川
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一种无额外遮光和对位问题的Poly finger制备方法.pdf

    本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法，本发明方法包括在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料后刻蚀形成的Polyfinger结构。采用本发明方法制备的Polyfinger区域与接触区域宽度一致，不会存在额外寄生吸收导致的遮光问题，改善了电池的电流，同时Polyfinger与接触图形无需进行对位，即不存在对位异常风险，规避了对位异常导致的额外金属复合和电流损失，改善了电池的效率和良率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779718 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310733791.8 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人 常州时创能源股份有限公司 地址

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