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本发明涉及电压比较技术领域，公开了一种负电压比较电路，包括向MOS管NM1、MOS管NM2和MOS管NM12提供偏置电流的偏置电流产生单元；MOS管NM2的源极用于输入检测电压，MOS管NM2的漏极与MOS管NM12的栅极电连接；MOS管NM12的源极接地；MOS管NM1的源极与温度补偿单元电连接；MOS管NM12的漏极与第一信号处理单元电连接；本发明在使用时通过MOS管NM1和温度补偿单元可以设置比较电压，而通过判断比较电压与检测电压的大小可以控制MOS管NM12的通断，控制MOS管NM12的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116780920 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311069526.0
(22)申请日 2023.08.24
(71)申请人 苏州锴威特半导体
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