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本发明公开了一种具有四元势垒层的高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlInGaN势垒层、SiN层、介质层、栅极、源极和漏极；本发明的具有极化匹配四元势垒层的增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管采用AlInGaN势垒层材料，在外延生长过程中采用In作为表面活性剂，能够有效的增加Al原子在生长表面的迁移率，使得Al组分空间分布均匀，不存在由于局部应力过大而导致的弛豫现象，进而获得高晶体质量的高Al组分AlInGaN势垒层，较好解决了传统高Al摩尔组分A
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779670 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310878512.7
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 江西万年晶半导体有限公司
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