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本申请提供一种改善光掩模表面静电的处理方法，涉及光掩模的领域，其步骤如下：将光掩模进行高温烘烤和/或等离子体表面处理；其中，高温烘烤的温度在80‑200℃，等离子体表面处理采用含氟气体。通过采用高温烘烤、等离子体表面处理或者高温烘烤加等离子体表面处理的方式对光掩模表面进行除静电，能够有效的去除光掩模表面的静电现象，使得光掩模在完成去光阻步骤后，无需等待较长时间，即可进行CD‑SEM的量测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116774518 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310761491.0
(22)申请日 2023.06.26
(71)申请人 广州新锐光掩模科技有限公司
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