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本发明提供一种屏蔽栅MOS器件及其制造方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有若干沟槽；对沟槽两侧的衬底中执行第一类型离子倾斜注入，相邻沟槽之间的衬底中形成第一类型注入区；对沟槽两侧的衬底中执行第二类型离子倾斜注入，位于相邻沟槽之间的衬底中靠近两侧沟槽的区域形成第二类型注入区；在沟槽中形成自下而上间隔的屏蔽栅和多晶硅栅。本发明通过对沟槽两侧的衬底中执行两次离子倾斜注入，在衬底中形成N柱‑P柱‑N柱或P柱‑N柱‑P柱的超结结构，PN柱结构能够进一步降低漂移层电阻率，该超结结构引进了新型耗尽区域从而能够
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779446 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310946019.4
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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