半导体器件结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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半导体器件结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，半导体器件结构包括：衬底；第一氮化物半导体层，安置于衬底上，第一氮化物半导体层背离衬底的一侧表面设置有v形凹槽；其中v形凹槽由位错形成；第二氮化物半导体层，安置于第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层背离第一氮化物半导体层的一侧表面平坦；第三氮化物半导体层，安置于第二氮化物半导体层上；电极层，安置于第三氮化物半导体层上。通过上述方式，本发明的第一氮化物半导体层设置有v形凹槽，v形凹槽边壁的带隙比较大，这种带隙差对位错附近的载流子形成

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779669 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310615436.0 (22)申请日 2023.05.26 (71)申请人英诺赛科（珠海）科技有限公司地