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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区器件，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件；以及栅极结构，形成于所述隔离器件上，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。通过本发明公开的一种半导体结构及其制备方法，能够对栅极层进行防护。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779611 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311039103.4
(22)申请日 2023.08.17
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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