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本发明实施例公开了硅片处理设备及硅片处理方法,所述硅片处理设备包括:承载装置,所述承载装置用于沿径向方向从外周承载硅片;两个静压支撑装置,所述两个静压支撑装置分别设置在所述硅片的两侧,以用于通过流体静压以非接触的方式支撑所述硅片;两个磨轮,所述两个磨轮分别设置在所述硅片的两侧,以用于对所述硅片的正面和背面进行研磨;设置在所述两个静压支撑装置中的一个静压支撑装置上的损伤形成装置,所述损伤形成装置用于在所述硅片的背面上形成损伤层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116765964 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310798724.4
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
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