原创力文档- 4
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- 2023-09-21 发布于四川
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本实用新型涉及一种堆叠式芯片封装结构，包括基板和塑封组件，堆叠式芯片与基板电连接，并且堆叠式芯片放置在塑封组件内，塑封组件内还包括硅中介层，硅中介层与堆叠式芯片的下表面之间形成有重布线层，使得堆叠式芯片通过重布线层与所述硅中介层电性连接，其中：硅中介层具有若干个硅通道，重布线层通过若干个硅通道与基板电性连接；每个硅通道对应设有凸块，且若干个硅通道通过凸块与基板电性连接。本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：通过TSV硅通道互连的方式，把不同的功能芯片集成在一起实现电子元器件的多功能；并且TSV
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219716852 U
(45)授权公告日 2023.09.19
(21)申请号 202321012863.1
(22)申请日 2023.04.28
(73)专利权人 天芯电子科技（
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