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本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构的制造方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；于第一区域形成具有第一接触孔的第一接触层；于第二区域形成具有第二接触孔的第二接触层；第一接触孔具有第一深宽比，第二接触孔具有第二深宽比；利用第一沉积偏压在第一接触孔中形成第一金属半导体化合物层；利用第二沉积偏压在第二接触孔中形成第二金属半导体化合物层；其中，第一深宽比小于第二深宽比，第一沉积偏压小于第二沉积偏压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798950 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310857360.2
(22)申请日 2023.07.12
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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